參數(shù)資料
型號(hào): PBSS5140S
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG
中文描述: 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 60K
代理商: PBSS5140S
2001 Nov 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5140S
handbook, halfpage
0
10
1
200
400
600
800
1000
MHC088
10
1
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
1
10
1
MHC089
10
1
1
10
VBE
(V)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
MHC090
1
10
VCEsat
(mV)
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
10
1
10
1
2
MHC091
10
1
1
10
RCEsat
(
)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBW-1201 KPTC 6C 6#20 PIN RECP
PBW-1201-33 KPTC 6C 6#20 PIN RECP
PBW-1202-33 KPTC2E10-6S
PBW-1203-33 KPTC 6C 6#20 SKT RECP
PBW-1206-33 KPTC 10C 10#20 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS5140S,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS5140T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
PBSS5140T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 40V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS5140T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 40V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS5140T215 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: