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參數(shù)資料
| 型號： | PBSS5140S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | PBSS5140S |
2001 Nov 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5140S
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated and standard footprint.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
50
100
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
=
40 V; I
C
= 0
V
CB
=
40 V; I
C
= 0; T
j
= 150
°
C
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
nA
μ
A
nA
I
CEO
collector-emitter cut-off
current
emitter-base cut-off current
DC current gain
I
EBO
h
FE
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
100 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
500 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
I
C
=
100 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
300
300
250
160
300
100
800
200
250
500
<500
1.1
nA
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
R
CEsat
V
BEsat
equivalent on-resistance
base-emitter saturation
voltage
base-emitter turn-on
voltage
transition frequency
V
BEon
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
1
V
f
T
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
150
MHz
C
c
collector capacitance
12
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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