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參數(shù)資料
| 型號： | PBSS5140D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | PBSS5140D |
2001 Nov 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5140D
handbook, halfpage
0
10
1
200
400
600
800
1000
MHC088
10
1
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
1
10
1
MHC089
10
1
1
10
VBE
(V)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
MHC090
1
10
VCEsat
(mV)
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
10
1
10
1
2
MHC091
10
1
1
10
RCEsat
(
)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5140S | KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG |
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