參數(shù)資料
型號： PBSS4140S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： KPTC 3C 3#20 PIN RECP
中文描述： 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 60K
代理商： PBSS4140S
2001 Nov 27
3
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4140S
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated and standard footprint.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= 40 V; I
C
= 0
V
CB
= 40 V; I
C
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
100
50
100
nA
μ
A
nA
I
CEO
collector-emitter cut-off
current
emitter-base cut-off current
DC current gain
I
EBO
h
FE
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
300
300
200
260
100
900
200
250
500
<500
1.2
nA
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
R
CEsat
V
BEsat
equivalent on-resistance
base-emitter saturation
voltage
base-emitter turn-on
voltage
transition frequency
collector capacitance
V
BEon
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
1.1
V
f
T
C
c
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
150
10
MHz
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350S KPTC 3C 3#20 SKT PLUG
PBSS4350 NPN transistor
PBSS5140D KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG
PBSS5140S KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG
PBW-1201 KPTC 6C 6#20 PIN RECP
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參數(shù)描述
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PBSS4140T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 1A SOT23,PBSS4140T
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PBSS4140T,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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