參數(shù)資料
型號： PBSS3515F
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： KPT 55C 55#20 SKT RECP
中文描述： 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： PBSS3515F
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2001 Jan 26
2001 Sep 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS3515F
15 V low V
CEsat
PNP transistor
M3D425
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS3515M 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
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參數(shù)描述
PBSS3515F,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS3515M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
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PBSS3515M,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS3515MB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 15V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency Typ ft:280MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:90; Operating ;RoHS Compliant: Yes
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