參數資料
型號： P0102DA5AA4
廠商： 意法半導體
英文描述： 0.8A SCRs
中文描述： 0.8A可控硅
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： P0102DA5AA4
P0102BL
3/5
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2:
Average and D.C. on-state current versus
ambient temperature.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 5:
Relative variation of holding current
versus gate-cathode resistance (typical values).
Fig. 6:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode resistance (typical values).
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
P(W)
360 °
α
α
= 180 °
IT(av)(A)
0
25
50
75
100
125
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
IT(av)(A)
α
= 180°
D.C
Tamb(°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
tp(s)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[Tj = 25 °C]
IH & IL
(Rgk = 1k
)
IGT
Tj(°C)
IH[Rgk] / IH[Rgk = 1k ]
Rgk(k
)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
dV/dt[Rgk] / dV/dt[Rgk = 1k ]
Rgk(k
)
10.0
1.0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
相關PDF資料
PDF描述
P0102MA5AA4 0.8A SCRs
P16NE N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
P3NB60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
P7NB80FP N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
P9NB60FP N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A TO-220/TO220FP PowerMESH MOSFET
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參數描述
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P0102DN 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs
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