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PSMN1R5-30BLEJ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 11220

  • NXP SEMIC

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 10400

  • NEXPERIA

  • TO-263

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 48000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • -
  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PSMN1R5-30BLEJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN1R5-30BLE/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V D2PAK
PSMN1R5-30BLEJ 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN1R5-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4830pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):109W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R4-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):96nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6661pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R4-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):54.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):166W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.42 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R3-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6227pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):121W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R2-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):68nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4616pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):194W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.24 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127
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