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PSMN009-100B,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN009-100B,118
    PSMN009-100B,118

    PSMN009-100B,118

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1650+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • PSMN009-100B,118
    PSMN009-100B,118

    PSMN009-100B,118

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367098

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN009-100B,118
    PSMN009-100B,118

    PSMN009-100B,118

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • 15+

  • -
  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質★提供PCB板配單業(yè)務

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PSMN009-100B,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 PWR-MOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN009-100B,118 技術參數(shù)
  • PSMN008-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):122.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5260pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN005-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN004-60B,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):168nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSM900JB-47R 功能描述:RES 47 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):47 容差:±5% 功率(W):9W 成分:繞線 特性:抗電弧,耐燃,防潮,安全 溫度系數(shù):- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向 供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬(38.00mm x 9.00mm) 高度:0.409"(10.40mm) 端子數(shù):2 標準包裝:200 PSM900JB-2R 功能描述:RES 2 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):2 容差:±5% 功率(W):9W 成分:繞線 特性:抗電弧,耐燃,防潮,安全 溫度系數(shù):- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向 供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬(38.00mm x 9.00mm) 高度:0.409"(10.40mm) 端子數(shù):2 標準包裝:500 PSMN011-80YS,115 PSMN012-100YLX PSMN012-100YS,115 PSMN012-25YLC,115 PSMN012-60YS,115 PSMN012-80BS,118 PSMN012-80PS,127 PSMN013-100BS,118 PSMN013-100ES,127 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115
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