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PSMN013-30MLC,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PSMN013-30MLC,115
    PSMN013-30MLC,115

    PSMN013-30MLC,115

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國(guó)上海

  • 100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • PSMN013-30MLC,115
    PSMN013-30MLC,115

    PSMN013-30MLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN013-30MLC,115
    PSMN013-30MLC,115

    PSMN013-30MLC,115

  • 天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • PSMN013-30MLC,115
    PSMN013-30MLC,115

    PSMN013-30MLC,115

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • PSMN013-30MLC,115
    PSMN013-30MLC,115

    PSMN013-30MLC,115

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • NEXPERIA/安世

  • LFPAK33-8

  • 23+22+

  • -
  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
PSMN013-30MLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN013-30MLC,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN013-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):768pF @ 15V 功率 - 最大值:41W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-100YSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):82A(Tj) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN013-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35.2A (Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3195pF @ 50V 功率 - 最大值:48.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN013-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):68A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):59nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):170W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN013-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):68A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):59nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):170W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115 PSMN017-30BL,118 PSMN017-30EL,127 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX
配單專家

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