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PSMN013-30YLC,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • PSMN013-30YLC,115
    PSMN013-30YLC,115

    PSMN013-30YLC,115

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • PSMN013-30YLC,115
    PSMN013-30YLC,115

    PSMN013-30YLC,115

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367117

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN013-30YLC,115
    PSMN013-30YLC,115

    PSMN013-30YLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN013-30YLC,115
    PSMN013-30YLC,115

    PSMN013-30YLC,115

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Nexperia USA Inc.

  • MOSFET N-CH 30V 32A

  • 22+

  • -
  • PSMN013-30YLC,115
    PSMN013-30YLC,115

    PSMN013-30YLC,115

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
PSMN013-30YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30 V 13.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN013-30YLC,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN013-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):39A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):519pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.6 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 PSMN013-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):768pF @ 15V 功率 - 最大值:41W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN3333(3.3x3.3) 標準包裝:1 PSMN013-100YSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):82A(Tj) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN013-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35.2A (Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3195pF @ 50V 功率 - 最大值:48.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN013-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):68A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):59nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):170W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115 PSMN017-30BL,118 PSMN017-30EL,127 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX PSMN020-100YS,115
配單專家

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