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參數(shù)資料
| 型號： | OM50N06ST |
| 英文描述： | 60V Ultra Low R DS(on) Power MOSFET(極低漏源極導(dǎo)通電阻，60V功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 60V的超低R DS（on）的功率MOSFET（極低漏源極導(dǎo)通電阻，60V的功率馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | OM50N06ST |
OM60N06SA - OM50N05ST
3.1
205 Crawford Street, Leominster, MA 01453 USA (508) 534-5776 FAX (508) 537-4246
D.U.T.
R
L
2200
μF
3.3
μF
V
DD
V
D
R
S
V
DS
F
W
A
A
A
B
B
D
S
G
G
D
S
L = 100μH
D.U.T.
85
3.3
μF
1000
μF
V
DS
R
C
+
–
MOS
Diode
FAST
Diode
25
B
–
V
GS
(V)
12
8
4
0
0
20
40
60
Q
g
(nC)
V
DS
= 25V
I
D
= 40A
C(pF)
4000
3000
2000
1000
0
10
20
30
40
V
DS
(V)
V
= 0
f = 1MHz
C
ies
C
oes
C
res
V
(norm)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
0
50
100
T
J
(°C)
V
= V
GS
I
D
= 250μA
R
(norm)
-50
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
T
J
(°C)
Switching Times Test Circuits
For Resistive Load
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Capacitance Variations
Normalized On Resistance
vs Temperature
Gate Charge vs Gate-Source Voltage
Normalized Gate Threshold
Voltage vs Temperature
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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