參數(shù)資料
型號(hào)： NZT6717
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述： 1200 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： NZT6717
T
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
h
fe
Small-Signal Current Gain
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
80
80
5.0
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
I
C
= 50 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, I
B
= 100 mA
I
C
= 250 mA, V
CE
= 1.0 V
80
50
250
0.5
1.2
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
I
= 200 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 20 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
2.5
25
C
cb
Collector-Base Capacitance
30
pF
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0
0.01
0.1
1 1.5
50
100
150
200
250
300
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
- 40 oC
25 °C
V = 5V
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 39
0.01
0.1
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
β
= 10
125 oC
- 40 oC
25 °C
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PDF描述
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參數(shù)描述
NZT6717_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6726 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6726_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6727 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6727_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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