參數(shù)資料
型號： NZT660A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NZT660A
Typical Characteristics
Current Gain vs. Collector Current
1000
125°C
00
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
600
700
800
900
H
F
25°C
- 40°C
V = 2.0V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
V = 2.0V
f = 1.0MHz
C
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
PA
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NZT6714 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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