參數(shù)資料
型號: NX8561JD
廠商: NEC Corp.
英文描述: 1 480 nm EDFA APPLICATION InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE
中文描述: 摻鉺光纖放大器1 480納米的應(yīng)用InGaAsP的應(yīng)變量子阱的DC -異質(zhì)結(jié)激光二極管模塊
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大小: 65K
代理商: NX8561JD
Data Sheet P14128EJ2V0DS00
8
NX7660JC
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX7660JC InGaAsP STRAINED DC-PBH LASER DIODE MODULE 1 625 nm TELEMETRY APPLICATION
NX7660JC-BA InGaAsP STRAINED DC-PBH LASER DIODE MODULE 1 625 nm TELEMETRY APPLICATION
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參數(shù)描述
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