參數(shù)資料
型號(hào)： NUS5530MN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
中文描述： 集成功率MOSFET與進(jìn)步黨低Vce（sat）開(kāi)關(guān)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： NUS5530MN
NUS5530MN
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR PNP TRANSISTOR
Figure 10. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 11. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
0.01
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1.0
0.001
0.05
0
0.001
0.01
0.1
1.0
0.01
0.10
0.15
I
C
/I
B
= 100
0.20
0.25
100
°
C
25
°
C
55
°
C
50
10
VC
V
VC
V
I
C
/I
B
= 50
Figure 12. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 13. Base Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 14. Base Emitter Turn
On Voltage
versus Collector Current
Figure 15. Input Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.001
1.0
0.4
0
0.1
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.1
0.6
0.5
0.4
0.3
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (V)
0
750
550
500
450
350
300
1.5
0.01
h
VB
0.1
1.0
,
VB
1.0
0.9
0.5
5.0
1.0
400
Ci
0.6
0.8
V
700
650
600
0.2
100
°
C
25
°
C
55
°
C
0.8
0.7
1.0
100
°
C
25
°
C
55
°
C
3.0
2.0
2.5
3.5
4.0
4.5
F
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.001
0.01
0.1
1
10
125
°
C (5 V)
25
°
C (5 V)
55
°
C (5 V)
55
°
C (2 V)
125
°
C (2 V)
25
°
C (2 V)
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