參數(shù)資料
型號： NUS3055MUTAG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 電源管理
英文描述： Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
中文描述： 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, DSO8
封裝： 3 X 2.50 MM, 0.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, TLLGA-8
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： NUS3055MUTAG
NUS3055MUTAG
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
30 V, PCHANNEL MOSFET
8 V
0
12
11
10
9
8
7
1.2
0.8
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
D
3
2
1
0
0.4
Figure 4. OnRegion Characteristics
Figure 5. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
15
1000
100
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
L
2
10
0.1
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
V
GS,
GATE VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 25
°
C
100000
5
V
GS
= 0 V
R
D
D
3 V
25
30
3.2 V
3.4 V
4.5 V
0.2
1.6
2
10000
4
6
8
0
6
5
4
10
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
9
3
5
7
T
J
= 25
°
C
I
D
= 3.7 A
20
3.2
2.8
2.4
3.6
4
3.6 V
3.8 V
4 V
4.2 V
10V
6 V
5 V
5.5 V
0.9
1
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
S
,
T
J
= 25
°
C
1.0
0.4
0.3
10
0.5
0.8
0.6
0.1
0.7
1.1
V
GS
= 0 V
T
J
= 55
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NVC1001 4 Ch Color Video Display ASIC Solution for Multiplexer
NX26F011A 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
NX26F011A-3V-R 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
NX26F011A-5V-R 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NUS3065MU 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
NUS3065MUTAG 功能描述:監(jiān)控電路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復(fù)位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復(fù)位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel
NUS3116MT 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT
NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NUS5530MN 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
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