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參數(shù)資料
| 型號： | NTP75N06 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | NTP75N06 |
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
D
2
PAK
CASE 418B04
ISSUE J
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
1.016
0.04
17.02
0.67
10.66
0.42
3.05
0.12
5.08
0.20
mm
inches
SCALE 3:1
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.350
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
8.89
MILLIMETERS
INCHES
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.052
0.280
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
1.32
7.11
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
0.110
0.025
0.110
0.072
0.320
2.79
0.64
2.79
1.83
8.13
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
B
M
B
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP75N06D | Power MOSFET |
| NTP75N06G | Power MOSFET |
| NTD12N10-1 | Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK |
| NTD12N10T4 | Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK |
| NTD12N10T4G | Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTP75N06/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts |
| NTP75N06D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTP75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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