| 型號： | NTLJD3182FZTBG |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫歐 @ 2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-WDFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-WDFN（2x2） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |