| 型號(hào)： |
NTLJD3182FZTBG |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
2/8頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Product Obsolescence 21/Jan/2010
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
3,000 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
二極管（隔離式）
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2.2A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
100 毫歐 @ 2A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
7.8nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
450pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
710mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-WDFN 裸露焊盤(pán)
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-WDFN（2x2）
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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