參數(shù)資料
型號(hào): NTJD5121NT2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/5頁
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描述: MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 295mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.6 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 26pF @ 20V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-363
包裝: 帶卷 (TR)