型號(hào): | NTJD5121NT2G |
廠商: | ON Semiconductor |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 3,000 |
FET 型: | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 295mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.6 歐姆 @ 500mA,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 26pF @ 20V |
功率 - 最大: | 250mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SOT-363 |
包裝: | 帶卷 (TR) |