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參數(shù)資料
| 型號： | NTE6508 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Integrated Circuit CMOS, 1K Static RAM (SRAM) |
| 中文描述： | 集成電路的CMOS，每1000靜態(tài)RAM（SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | NTE6508 |
W
V
CC
E
Pin Connection Diagram
GND
Q
A2
A6
A5
1
2
3
4
A0
A1
5
A3
6
A4
7
8
16
15
14
13
D
A9
12
11
A7
10
9
A8
.700 (17.78)
.100 (2.54)
1
8
16
9
.200 (5.08)
Max
.870 (22.0)
Max
.260 (6.6)
Max
.099 (2.5) Min
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE65101 | Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM) |
| NTE65 | Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV |
| NTE6664 | Integrated Circuit 64K-Bit Dynamic RAM |
| NTE66 | MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |
| NTE67 | MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE65101 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:IC - NMOS 1K SRAM 450NS 22 LEAD DIP 制造商:NTE Electronics 功能描述:IC-CMOS 1K SRAM 制造商:NTE Electronics 功能描述:IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 450NS, 22-DIP; Memory Size:1Kbit; Memory Configuration:256 x 4; Supply Voltage Min:4.75V; Supply Voltage Max:5.25V; Memory Case Style:DIP; No. of Pins:22; Access Time:450ns; Operating Temperature Min:-40C 制造商:NTE Electronics 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1K-Bit 256 x 4-Bit 450ns 22-Pin PDIP |
| NTE652 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL - 4.000 MHZ |
| NTE653 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL-5.000 MHZ |
| NTE6532 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC |
| NTE654 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Crystal 10.245MHz 32pF 2-Pin |
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