參數(shù)資料
型號： NTE630
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap
中文描述： 硅整流快速恢復，雙通道，中心抽頭
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 18K
代理商： NTE630
Electrical Characteristics:
Parameter
Instantaneous Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
Symbol
V
F
I
R
Test Conditions
Min
–
–
–
–
Typ
–
–
–
50
Max
1.3
10
250
–
Unit
V
μ
A
μ
A
pF
I
F
= 8A
At Rated V
R
, T
C
= +25
°
C
At Rated V
R
, T
C
= +100
°
C
Note 1
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
NTE629
NTE630
C
P
t
rr
I
F
= 0.5A, I
R
= 1A, i
rr
= 0.25A
–
–
–
–
150
250
ns
ns
Note 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V.
.147 (3.75) Dia Max
.185 (4.7)
.392
(9.95)
.100 (52.54)
.018 (0.48)
.040 (1.02)
.245 (6.22)
.054 (1.38)
.110 (2.79)
.608
(15.42)
Max
.500
(12.7)
Min
A
A
K
K
相關PDF資料
PDF描述
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NTE631 Silicon Rectifier Diode High−Speed Switch (Surface Mount)
NTE633 Silicon Rectifier Diode High Speed Switching (Surface Mount)
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NTE6355 Silicon Power Rectifier Diode, 300 Amp
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NTE633 制造商:NTE Electronics 功能描述: 制造商:NTE Electronics 功能描述:DIODE - 100V 250MA HI-SPEED SURFACE MOUNT
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