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參數(shù)資料
| 型號： | NTE62 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor High Voltage, Horizontal Deflection Output for TV |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管高電壓，水平偏轉(zhuǎn)電視輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 20K |
| 代理商： | NTE62 |
NTE62
Silicon NPN Transistor
High Voltage, Horizontal Deflection Output for TV
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
j
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2500V
900V
6V
3A
7A
50W
+150
°
C
–40
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unles otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 1000V, I
E
= 0
V
CB
= 2500V, I
E
= 0
V
CE
= 900V, I
B
= 0
V
EB
= 6V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 1.5A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 1.5A
–
–
50
μ
A
–
–
1.0
mA
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
f
–
–
10
mA
Emitter Cutoff Current
–
–
1.0
mA
DC Current Gain
3
–
15
–
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
–
10
V
Base–Emitter Saturation Voltage
–
–
1.25
V
Transition Frequency
–
–
1.0
μ
s
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