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參數資料
| 型號： | NTE6248 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| 中文描述： | 硅肖特基整流器 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NTE6248 |
NTE6248
Silicon Schottky Barrier Rectifier
Features:
Guarding for Stress Protection
Low Forward Voltage
High Current Capability
High Surge Capability
Maximum Ratings and Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified. Resistive or inductive load.)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, V
RRM
Maximum RMS Voltage, V
RMS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Blocking Voltage, V
DC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Average Rectified Forward Current (T
C
= +100
°
C), I
F(AV)
Peak Forward Surge Current, I
FSM
(8.3ms single half sine–wave superimposed on rated load)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (I
F
= 16A), V
F
Maximum DC Reverse Current (rated DC Blocking Voltage), I
R
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +100
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Reverse Recovery Time (T
J
= +25
°
C, Note 1), T
RR
Typical Junction Capacitance (Note 2), C
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
= 500mA, I
R
= 1A, recover to 250mA.
Note 2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V.
600V
420V
600V
16A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
250A
1.5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
μ
A
500
μ
A
50ns
145pF
1.5
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +175
°
C
–55
°
to +175
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE6251 | Silicon Rectifier Dual, Positive Center Tap |
| NTE6252 | Silicon Rectifier Dual, Positive Center Tap |
| NTE625 | Silicon Rectifier Fast Recovery |
| NTE626 | Silicon Rectifier Fast Recovery |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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