- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363702 > NTE6251 (NTE Electronics, Inc.) Silicon Rectifier Dual, Positive Center Tap PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NTE6251 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Rectifier Dual, Positive Center Tap |
| 中文描述： | 硅整流雙，正中心抽頭 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NTE6251 |
NTE6251 & NTE6252
Silicon Rectifier
Dual, Positive Center Tap
Features:
Dual Rectifier Construction, Positive Center Tap
Low Forward Voltage, High Current Capability
Low Thermal Resistance
Low Power Loss
Maximum Ratings and Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage, V
RRM
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS Voltage, V
RMS
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Blocking Voltage, V
DC
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Average Forward Rectified Current (T
C
= +100
°
C), I
F(AV)
Peak Forward Surge Current, I
FSM
(8.3ms Single Half Sine–Wave Superimposed on Rated Load)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Per Leg at 15A), V
F
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Reverse Current (At Rated V
DC
), I
R
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +100
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Reverse Recovery Time (Per Leg, Note 1), t
rr
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Junction Capacitance (Per Leg, Note 2), C
J
NTE6251
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE6252
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case (Note 3), R
thJC
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Reverse Recovery test conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= 1A, I
rr
= 0.25A.
Note 2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V.
Note 3. Thermal resistance from junction to case per leg mounted on a heatsink.
200V
600V
140V
420V
200V
600V
30A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.95V
1.5V
10
μ
A
500
μ
A
35ns
50ns
175pF
145pF
1.0
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE6252 | Silicon Rectifier Dual, Positive Center Tap |
| NTE625 | Silicon Rectifier Fast Recovery |
| NTE626 | Silicon Rectifier Fast Recovery |
| NTE627 | Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap |
| NTE628 | Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE6252 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:DIODE FAST DUAL 30A 600V TO-247VAR 制造商:NTE Electronics 功能描述:DIODE, FAST, DUAL, 30A, 600V, TO-247VAR 制造商:NTE Electronics 功能描述:R-SI 600V 30A DUAL FAST 制造商:NTE Electronics 功能描述:30A 600V DUAL FAST 制造商:NTE Electronics 功能描述:DIODE, FAST, DUAL, 30A, 600V, TO-247VAR; Diode Type:Fast Recovery; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):30A; Forward Voltage VF Max:1.5V; Diode Case Style:TO-247 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NTE Electronics 功能描述:Diode Switching 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| NTE626 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:RECTIFIER - SILICON 600V 8A FAST RECOVERY TO220 250NS |
| NTE627 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:200V-12A-150NS |
| NTE628 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:600V-12A-250NS 制造商:NTE Electronics 功能描述:R-SI DUAL 600V 12A 制造商:NTE Electronics 功能描述:Diode Switching 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| NTE629 | 制造商:NTE Electronics 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。