參數(shù)資料
型號： NTE38
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors High Voltage, Medium Power Switch
中文描述： 硅晶體管互補高壓，中功率開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 29K
代理商： NTE38
NTE38 (PNP) & NTE175 (NPN)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage, Medium Power Switch
Description:
The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) complementary silicon transistors are designed for high–
speed switching and linear amplifier applications for high–voltage operational amplifiers, switching
regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.
Features:
Collector–Emitter Sustaining Voltage:
NTE38:
V
CEO(sus)
= 350V @ I
C
= 200mA
NTE175: V
CEO(sus)
= 300V @ I
C
= 200mA
Second Breakdown Collector Current:
NTE38
I
S/b
= 875mA @ V
CE
= 40V
NTE175 I
S/b
= 350mA @ V
CE
= 100V
Usable DC Current Gain to 2.0Adc
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
NTE38
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE175
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Base Voltage, V
CB
NTE38
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE175
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak (Note 1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Junction Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction to Case, R
Θ
JC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Pulse Test (NTE175 Only): Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
≤
10%.
350V
300V
400V
500V
6Vdc
2A
5A
1A
35W
0.2W/
°
C
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
5
°
C/W
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