參數(shù)資料
型號(hào)： NTE379
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Power Amp, High Voltage, Switch
中文描述： 硅NPN晶體管功放，高電壓，開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
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代理商： NTE379
NTE379
Silicon NPN Transistor
Power Amp, High Voltage, Switch
Description:
The NTE379 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high–
speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited
for 115 and 220V switch–mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,
Solenoid/Relay drivers, and Deflection circuits.
Features:
V
CEO(sus)
= 400V
Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ T
C
= +100
°
C
700V Blocking Capability
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO(sus)
Collector–Emitter Voltage, V
CEV
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Continuous
Peak (Note 1)
Base Current, I
B
Continuous
Peak (Note 1)
Emitter Current, I
E
Continuous
Peak (Note 1)
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction to Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction to Ambient, R
thJA
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case for 5sec), T
L
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
≤
10%.
400V
700V
9V
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12A
24A
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6A
12A
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18A
36A
2W
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16mW/
°
C
100W
800mW/
°
C
–65
°
to +150
°
C
–65
°
to +150
°
C
1.25
°
C/W
62.5
°
C/W
+275
°
C
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