參數資料
型號： NTE355
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz
中文描述： 硅NPN晶體管射頻輸出功率30W寶\u003d @ 175MHz時
文件頁數： 2/2頁
文件大小： 20K
代理商： NTE355
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ON Characteristics
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 5V, I
C
= 500mA
15
–
–
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 12.5V, I
E
= 0, f = 100kHz
–
150
190
pF
Functional Test
Common
–
Emitter Amplifier Power Gain
G
PE
P
OUT
= 30W, V
CC
= 12.5V,
I
C
max = 3.4A, f = 175MHz
P
OUT
= 30W, V
CC
= 12.5V, f = 175MHz
5.7
–
–
dB
Collector Efficiency
η
60
–
–
%
E
C
B
E
.122 (3.1) Dia
(2 Holes)
.860 (21.84)
.085 (2.14)
.185 (4.7)
.005 (0.15)
.378 (9.56)
.225 (5.72)
.975 (24.77)
.725 (18.42)
.255
(6.5)
.250
(6.35)
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PDF描述
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