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參數(shù)資料
| 型號： | NTE353 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 4W @ 175MHz |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管輸出功率保\u003d 4瓦@ 175MHz時 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | NTE353 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ON Characteristics
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 5V, I
C
= 250mA
5
–
–
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 12.5V, I
E
= 0, f = 100kHz
–
17
20
pF
Functional Test
Common
–
Emitter Amplifier Power Gain
G
PE
P
OUT
= 4W, V
CC
= 12.5V,
I
C
max = 620mA, f = 175MHz
P
OUT
= 4W, V
CC
= 12.5V, f = 175MHz
12
–
–
dB
Collector Efficiency
η
50
–
–
%
E
C
B
E
.122 (3.1) Dia
(2 Holes)
.860 (21.84)
.085 (2.14)
.185 (4.7)
.005 (0.15)
.378 (9.56)
.225 (5.72)
.975 (24.77)
.725 (18.42)
.255
(6.5)
.250
(6.35)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE354 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
| NTE355 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W |
| NTE365 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 512MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE354 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
| NTE355 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz |
| NTE357 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-Pin |
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| NTE359 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 65V IC=3A PO=20W 125-175MHZ RF POWER AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF PWR AMP 20W |
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