- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363694 > NTE350 (NTE Electronics, Inc.) Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NTE350 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管射頻功率放大器，驅(qū)動程序 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 22K |
| 代理商： | NTE350 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 15V, I
E
= 0, f = 0.1MHz
–
70
85
pF
Functional Tests
(V
CC
= 12.5V unless otherwise specified)
Common
–
Emitter Amplifier
Power Gain
G
PE
P
out
= 15W, f = 175MHz
6.3
–
–
dB
Collector Efficiency
η
P
out
= 15W, f = 175MHz
60
–
–
%
1.040 (26.4) Max
.520 (13.2)
.100 (2.54)
E
E
C
B
.005 (0.15)
.168 (4.27)
.230
(5.84)
8
–
32
–
NC
–
3A
Wrench Flat
.385 (9.8)
Dia
.750
(19.05)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE351 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver |
| NTE352 | Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount) |
| NTE353 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 4W @ 175MHz |
| NTE354 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
| NTE355 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE350F | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 36V IC=2.5A PO=15W 130-175MHZ RF POWER AMP |
| NTE351 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 18V 5A 4-Pin Case T-72H |
| NTE352 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 18V 20A 6-Pin |
| NTE353 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI-RF PO-4W 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 18V 1A 4-Pin |
| NTE354 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。