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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE349 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管射頻功率放大器，驅(qū)動(dòng)程序 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | NTE349 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(V
CE
= 13.6V unless otherwise specified)
Common
–
Emitter Amplifier
Power Gain
G
PE
P
out
= 10W, f = 175MHz
5.2
–
–
dB
Power Input
P
in
η
P
OUT
= 10W, f = 175MHz
P
out
= 10W, f = 175MHz
–
–
3
W
Collector Efficiency
50
–
–
%
1.040 (26.4) Max
.520 (13.2)
.100 (2.54)
E
E
C
B
.005 (0.15)
.168 (4.27)
.230
(5.84)
8
–
32
–
NC
–
3A
Wrench Flat
.385 (9.8)
Dia
.750
(19.05)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE350 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver |
| NTE351 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver |
| NTE352 | Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount) |
| NTE353 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 4W @ 175MHz |
| NTE354 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NTE351 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 18V 5A 4-Pin Case T-72H |
| NTE352 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 18V 20A 6-Pin |
| NTE353 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI-RF PO-4W 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 18V 1A 4-Pin |
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