參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2968
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Dual Channel, 2/0, 150Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
中文描述： MOSFET的N溝道，增強(qiáng)模式高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/3頁
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代理商： NTE2968
NTE2968
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Low Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current
Low Static Drain–Source On–State Resistance
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, V
DSS
Drain Current, I
D
Continuous
T
C
= +25
°
C
T
C
= +100
°
C
Pulsed (Note 1)
Gate–Source Voltage, V
GS
Gate Current (Pulsed), I
GM
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E
AS
Avalanche Current (Note 1), I
AS
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
AR
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
L
Thermal Resistance:
Maximum Junction–to–Case, R
thJC
Typical Case–to–Sink, R
thCS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Junction–to–Ambient, R
thJA
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 0.5mH, I
AS
= 45A, V
DD
= 25V, R
G
= 25
, Starting T
J
= +25
°
C.
Note 3. I
SD
≤
45A, di/dt
≤
370A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
= +25
°
C.
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45A
27.8A
180A
±
30V
±
1.5A
675mJ
45A
27.8mJ
5.0V/ns
278W
2.22W/
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
+300
°
C
. . . . . . . . . . . . . .
0.45
°
C/W
0.24
°
C/W
40
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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