參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2594
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
中文描述： 硅NPN晶體管高電壓，大電流開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE2594
NTE2594
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Current Switch
Features:
High Breakdown Voltage, High Reliability
Fast Switching Speed
Wide ASO
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed (PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%)
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
800V
500V
7V
15A
25A
4A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3W
55W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
μ
A
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 500V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1.2A
V
CE
= 5V, I
C
= 6A
V
CE
= 10V, I
C
= 1.2A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
I
C
= 6A, I
B
= 1.2A
I
C
= 6A, I
B
= 1.2A
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, R
BE
=
∞
I
E
= 1mA, I
C
= 0
–
–
10
Emitter Cutoff Current
–
–
10
DC Current Gain
15
–
50
8
–
–
Gain Bandwidth Product
f
T
–
18
–
MHz
Output Capacitance
C
ob
–
160
–
pF
Collector–Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
–
–
1.0
V
Base–Emitter Saturation Voltage
–
–
1.5
V
Collector–Base Breakdown Voltage
800
–
–
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage
500
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
7
–
–
V
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