參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2596
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
中文描述： 硅NPN晶體管高電壓，大電流開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 23K
代理商： NTE2596
NTE2596
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Current Switch
Features:
High Breakdown Voltage, High Reliability
Fast Switching Speed
Wide ASO Range
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–to–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–to–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–to–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak (Note 1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
800V
500V
7V
50A
70A
14A
3.5W
300W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%.
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Test Conditions
V
CB
= 500V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 4.8A
V
CE
= 5V, I
C
= 24A
I
C
= 24A, I
B
= 4.8A
I
C
= 24A, I
B
= 4.8A
Min
–
–
20
8
–
–
Typ
–
–
–
–
–
–
Max Unit
10
10
50
–
1.0
1.5
μ
A
μ
A
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
V
V
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PDF描述
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