參數(shù)資料
型號： NTE2570
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors High Current Switch
中文描述： 硅晶體管互補大電流開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE2570
NTE2570 (NPN) & NTE2571 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Current Switch
Features:
Low Collector–Emitter Saturation Voltage
High Current Capacity
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
90V
80V
6V
7A
12A
2W
30W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cut–Off Current
Emitter Cut–Off Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
V
CE
= 2V, I
C
= 4A
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
Min
–
–
100
30
–
Typ
–
–
–
–
20
Max
0.1
3.0
280
–
–
Unit
mA
mA
Gain–Bandwidth Product
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE2570
NTE2571
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
Emitter–Base Breakdown Voltage
f
T
MHz
V
CE(sat)
I
C
= 5A, I
B
= 10mA
–
–
–
–
–
–
–
0.4
0.5
–
–
–
V
V
V
V
V
V
(BR)CBO
I
C
= 1mA, I
E
= 0
90
80
6
V
(BR)EBO
I
C
= 1mA, I
C
= 0
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