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參數(shù)資料
| 型號： | NTE226 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Germanium PNP Transistor Audio Power Amp |
| 中文描述： | 鍺PNP晶體管音頻功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 17K |
| 代理商： | NTE226 |
NTE226
Germanium PNP Transistor
Audio Power Amp
Description:
The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–
power output applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, V
CBO
Collector–Emitter Voltage (R
BE
= 100
), V
CER
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35V
35V
6V
2A
12W
+85
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +85
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Small–Signal Current Gain Resistance
Base Spreading Resistance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
ob
r
bb
Test Conditions
V
CB
= 25V, I
E
= 0
V
EB
= 6V, I
C
= 0
V
CE
= 1.5V, I
C
= 200mA
V
CE
= 1.5V, I
C
= 200mA
V
CE
= 1.5V, I
C
= 200mA, f = 6MHz
Min Typ Max Unit
–
–
–
–
50
100
–
0.7
–
15
200
200
275
–
–
μ
A
μ
A
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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