參數(shù)資料
型號： NTE16004
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Quad Differential Comparator 14-SOIC 0 to 70
中文描述： 硅晶體管互補高電流，通用
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 23K
代理商： NTE16004
NTE16004 (PNP) & NTE16005 (NPN)
Silicon Complementary Transistors
High Current, General Purpose
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Base Current, I
B
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
75V
100V
7V
2A
1A
10W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.057mW/
°
C
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
17.5
°
C/W
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO)
I
CEX
I
C
= 100mA, I
B
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 1.5V
V
CE
= 70V, V
BE
= 1.5V, T
C
= +150
°
C
V
BE
= 7V, I
C
= 0
75
–
–
V
Collector Cutoff Current
–
–
0.1
mA
–
–
5.0
mA
Emitter Cutoff Current
I
EBO
–
–
0.1
mA
ON Characteristics
(Note 1)
DC Current Gain
h
FE
I
C
= 500mA, V
CE
= 4V
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
30
–
130
10
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE16004
V
CE(sat)
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
–
–
0.7
V
NTE16005
–
–
0.5
V
Base–Emitter ON Voltage
V
BE(on)
I
C
= 500mA, V
CE
= 4V
–
–
1.1
V
Small–Signal Characteristics
Small–Signal Current Gain
h
fe
I
C
= 50mA, V
CE
= 4V, f = 10MHz
5
–
–
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
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