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參數(shù)資料
| 型號： | NTD4804N |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 V, 117 A(30V, 117A, 功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 30五，117甲（30V的，117A，功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | NTD4804N |
NTD4804N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4 V
10 V
6 V
50
0.01
60
0
90
1.7
1.5
1.0
0.7
10,000
100,000
0
5
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
2
4
0.007
0.005
0.003
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Drain Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
50
50
25
0
25
75
125
100
2
3
15
10
0
5
3
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 175
°
C
T
J
= 125
°
C
40
0
240
80
4
5
T
J
= 25
°
C
20
7
1000
4
1
0
160
6
10
0.009
70
0.005
80
3.2 V
3.6 V
4.5 V
240
80
40
120
160
120
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
8
0.004
0.006
0.008
0.010
100
V
GS
= 11.5 V
150
100
200
200
0.0025
0.0075
30
40
20
T
J
= 25
°
C
6
10
0.8
0.9
1.6
1.4
1.2
1.3
1.1
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參數(shù)描述 |
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| NTD4804NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD4804NAT4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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