參數(shù)資料
型號： NTD4804N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 117 A(30V, 117A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，117甲（30V的，117A，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： NTD4804N
NTD4804N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.81
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.72
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dIs/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
34
ns
Charge Time
ta
19
Discharge Time
tb
15
Reverse Recovery Time
Q
RR
30
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
2.49
nH
Drain Inductance, DPAK
L
D
0.0164
Drain Inductance, IPAK
L
D
1.88
Gate Inductance
L
G
3.46
Gate Resistance
R
G
0.6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTD4804N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4804NA-1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4804NA-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4804NAT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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