參數(shù)資料
型號(hào)： NTD4302T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)
中文描述： 8.4 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369AA-01 DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： NTD4302T4
NTD4302
http://onsemi.com
4
1.6
1.4
1
1.2
0.8
0.6
10
1
100
1000
10000
40
20
50
10
30
0
60
0.005
0
30
2
1.5
1
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.1
0.075
0.05
0.025
4
0
2
6
8
10
Figure 3. OnResistance vs.
GateToSource Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
50
50
100
75
0
25
125
150
2
3
6
0.00E+00
1.00E+01
0.01
0.015
5
25
20
15
10
30
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
10
20
40
2.5
3
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 18.5 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 10 A
T
J
= 25
°
C
V
DS
> = 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.6 V
V
GS
= 4 V
R
D
,
)
R
D
,
(
V
GS
= 4.4 V
V
GS
= 3.8 V
V
GS
= 3.4 V
V
GS
= 3.2 V
V
GS
= 3.0 V
T
J
= 25
°
C
50
25
4
5
V
GS
= 2.8 V
0.5
2.00E+01
3.00E+01
4.00E+01
5.00E+01
6.00E+01
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PDF描述
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NTD4805N Power MOSFET(功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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NTD4404N1G 功能描述:MOSFET NFET 24V 4.7MR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4404NT4G 功能描述:MOSFET NFET 24V 4.7MR TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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