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參數(shù)資料
| 型號： | NTD3055L104 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.104 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | NTD3055L104 |
NTD3055L104
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
100
A
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
0
25
50
75
100
125
10
I
D
= 11 A
10
10
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
30
70
V
GS
= 15 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
150
50
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1.0
0.01
1
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
20
40
60
0.2
D = 0.5
0.1
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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