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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD3055L104 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.104 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | NTD3055L104 |
NTD3055L104
http://onsemi.com
3
0
0.12
16
12
0.08
0.04
0
8
20
0.32
24
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1
100
10,000
0
8
8
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.16
8
0.08
0
4
12
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
24
50
50
25
0
25
75
125
100
1
2.5
6
0
40
30
20
60
10
3
4
12
8 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
150
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 5 V
16
0.32
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
24
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
0
24
8
16
3.5
4
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
50
10
6 V
4.5 V
4 V
3 V
1.8
4
5
6
7
1.5
2
3
4.5
5
5.5
0.24
16
20
0.24
0.28
2
20
5 V
3.5 V
4
0.20
0.16
1000
20
4
12
0.12
0.04
0.28
0.20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3055L104G | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4 | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-150T4 | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
| NTD3055-150T4G | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NTD3055L104-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA |
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| NTD3055L104G | 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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