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參數(shù)資料
| 型號： | NTD2955 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | NTD2955 |
NTD2955
http://onsemi.com
3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
0
1
2
3
4
5
0
15
25
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
2
4
6
8
10
0
10
18
24
22
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 V
T
J
= 55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= 10 V
9 V
8 V
6 V
5 V
7 V
5
10
20
3
5
7
9
4
12
6
7
8
9
10
16
6
0
3
6
15
24
0
0.10
0.20
0.30
0
6
21
24
0.050
0.075
0.200
0.250
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
12
21
3
12
15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
V
GS
= 10 V
15 V
18
9
0.35
0.40
0.175
9
18
0.150
50
0.6
0.8
1.2
1.6
5
20
50
60
1
100
1000
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
15
30
40
1.0
1.4
T
J
= 125
°
C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
6.5 V
5.5 V
9.5 V
8
2
20
14
0.45
0.50
10
10
25
55
35
45
D
D
R
D
)
R
D
)
R
D
D
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD2955D | Power MOSFET |
| NTD2955G | Power MOSFET |
| NTD2955T4 | Power MOSFET |
| NTD2955T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-094 | Power MOSFET 12Amps, 60Volts N-Channel DPAK(12A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD2955-001 | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD2955-1G | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD2955D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD2955G | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD2955P | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:a??60 V, a??12 A, Pa??Channel DPAK |
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