參數(shù)資料
型號： NTB75N06G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 79K
代理商： NTB75N06G
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
3
0
120
3
60
2
1
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
D
,
160
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
20
40
80
100
140
4
R
D
,
1.8
1.4
1.6
1.2
1
0.6
100
10
1000
10000
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0
80
60
40
20
100
160
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
50
50
25
0
25
75
100
2.5
3
7
0
40
50
30
20
10
60
120
60
0
160
20
40
80
100
140
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
R
D
,
0.8
175
150
125
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
I
D
= 37.5 A
V
GS
= 10 V
V
DS
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 55
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 15 V
V
GS
= 6.5 V
V
GS
= 9 V
0.007
0.005
120
140
0
80
60
40
20
100
160
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
0.007
0.005
120
140
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB75N06T4 Power MOSFET
NTB75N06T4G Power MOSFET
NTP75N06 Power MOSFET
NTP75N06D Power MOSFET
NTP75N06G Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTB75N06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTB75N06LG 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTB75N06LT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*