型號(hào): | NTB5405N |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | Power MOSFET(功率MOSFET) |
中文描述: | 功率MOSFET(功率MOSFET的) |
文件頁(yè)數(shù): | 5/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 69K |
代理商: | NTB5405N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTB60N06 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTB60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTB60N06T4 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTB60N06T4G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTP60N06 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTB5405NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB5405NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB5411N | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
NTB5411NT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 75A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB5412N | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |