型號: | NTB125N02R |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK |
中文描述: | 95 A, 25 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | CASE 418AA-01, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大小: | 68K |
代理商: | NTB125N02R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTB125N02RT4 | Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK |
NTP125N02R | Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK |
NTB22N06L | Power MOSFET 22Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(22A, 60 V,邏輯電平,N通道,TO-220封裝的功率MOSFET) |
NTP22N06L | Power MOSFET 22Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(22A, 60 V,邏輯電平,N通道,TO-220封裝的功率MOSFET) |
NTB23N03R | Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N-Channel(23A,25V,N通道的功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTB125N02R_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK |
NTB125N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB125N02RT4 | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB125N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB12N50 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |