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參數(shù)資料
| 型號： | NT5DS64M4AW-7K |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256MB雙數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 44/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 1534K |
| 代理商： | NT5DS64M4AW-7K |
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NT5DS64M4AT NT5DS64M4AW
NT5DS32M8AT NT5DS32M8AW
256Mb Double Data Rate SDRAM
REV 1.1
12/2001
44
NANYA TECHNOLOGY CORP
. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Precharge
The Precharge command is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks. The
bank(s) is available for a subsequent row access some specified time (t
RP
) after the Precharge command is
issued. Input A10 determines whether one or all banks are to be precharged, and in the case where only one bank
is to be precharged, inputs BA0, BA1 select the bank. When all banks are to be precharged, inputs BA0, BA1 are
treated as “Don’t Care.” Once a bank has been precharged, it is in the idle state and must be activated prior to any
Read or Write commands being issued to that bank.
Precharge Command
BA
HIGH
BA = bank address
(if A10 is Low, otherwise Don’t Care).
CK
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
BA0, BA1
Don’t Care
All Banks
One Bank
A0-A9, A11, A12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5DS64M4AW-8B | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS32M8AW | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS32M8AW-6 | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS32M8AW-66 | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS64M4AT | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5DS64M4AW-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4CS | 制造商:NANOAMP 制造商全稱:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS64M4CS-5T | 制造商:NANOAMP 制造商全稱:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS64M4CS-6K | 制造商:NANOAMP 制造商全稱:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS64M4CT | 制造商:NANOAMP 制造商全稱:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
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