參數(shù)資料
型號(hào)： NSBMC290UP
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： Burst Mode Memory Controller
中文描述： 突發(fā)模式內(nèi)存控制器
文件頁(yè)數(shù)： 13/20頁(yè)
文件大小： 318K
代理商： NSBMC290UP
Absolute Maximum Ratings
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Supply Voltage (V
CC
)
Input Voltage (V
IN
)
DC Input Current (I
IN
)
Storage Temperature (T
STG
)
b
0.3V to
a
7V
b
0.3V to V
CC
a
0.3V
g
50 mA
b
65
§
C to
a
150
§
C
Recommended Operating
Conditions
Supply Voltage (V
CC
)
Ambient Temperature (T
A
)
Plastic Package
Ceramic Package
4.75V to 5.25V
0
§
C to
a
70
§
C
b
55
§
C to
a
85
§
C
DC Electrical Characteristics
Symbol
Description
Conditions
Min
Max
Units
V
IL
Low Level Input Voltage
V
CC
e
4.75V
0.8
V
V
IH
High Level Input Voltage
V
CC
e
5.25V
2.0
V
I
IL
Low Level Input Current
V
IN
e
V
SS
, V
CC
e
5.25V
b
10
m
A
I
IH
High Level Input Current
V
IN
e
V
CC
e
5.25V
10
m
A
V
OL
Low Level Output Voltage
V
IN
e
V
IL
or V
IH
I
OL
e
24 mA
0.4
V
V
OH
High Level Output Voltage
V
IN
e
V
IL
or V
IH
I
OL
e
24 mA
3.7
V
I
OZL
Low Level TRI-STATE
é
Output Current
V
IN
e
V
IL
or V
IH
V
O
e
V
SS
b
20
m
A
I
OZH
Low Level TRl-STATE
Output Current
V
IN
e
V
IL
or V
IH
V
O
e
5.25V
20
m
A
I
CC(Max)
Maximum Supply Current
Continuous Simple Access
Continuous Burst Access
100
30
mA
C
IN
Input Capacitance
20
pF
C
OUT
Output Capacitance
20
pF
13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSBMC290VF Burst Mode Memory Controller
NSC800 NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor
NSC800D NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor
NSC800E NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor
NSC800N NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor
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參數(shù)描述
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