參數(shù)資料
型號(hào)： NSBC114EPDXV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： NSBC114EPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
4
Figure 1. Derating Curve
300
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
R
JA
= 490
°
C/W
250
P
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSBC114EPDXV6T5 Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
NSBC114YPDXV6T1 Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
NSBMC016 Burst Memory Controller(脈沖存儲(chǔ)控制器)
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參數(shù)描述
NSBC114EPDXV6T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDXV6T5 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDXV6T5G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114TDP6T5G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NBRT RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114TDXV6 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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